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炭化瑰
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三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
2019年7月25日 由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。 1、半导体照明领域 采用碳化硅作为衬底的LED期间亮度更 2021年8月16日 碳化硅器件尺寸仅为同规格硅器件的1/10，碳化硅MOSFET 系统能量损失小于硅基IGBT 的1/4，这些优势能够为终端产品带来显著的性能提升。 根据CREE 的数据，相同的电池下搭载了碳化硅MOSFET 的电动车比使用硅 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎2023年6月22日 碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow2021年7月5日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会。 编辑 智东西内参 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。 然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃
中国碳化硅的2024，是未来也是终局 澎湃新闻
2022年8月26日 碳化硅衬底尺寸越大、良率越高，其单位成本就越低。 当前国内SiC衬底的主流尺寸为4或6英寸，而Wolfspeed早已实现8英寸衬底的量产。 扩径有着极高的技术壁垒，不同尺寸的SiC衬底之间有大约5年的差距，鉴于国内大 2 天之前 克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用 随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道。 作者：Catherine 克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用 SEMI大 2019年7月26日 碳化硅概述 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料代表之一，是C元素和Si元素形成的化合物。 跟传统半导体材料硅相比，它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优 什么是碳化硅（SiC）？相较于Si性能优势有哪些？ 百家号2024年10月15日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
碳化硅与硅：两种材料的详细比较 亚菲特
碳化硅是人类已知的最坚固的材料之一，由硅（Si）和碳（C）元素组成。这种砂粒又称 "碳化硅"，具有高硬度、优异的导热性和耐磨性等优异特性。碳化硅的非凡特性使其在许多行业，如电子、磨料磨具、电力设备和其他新兴行业中发挥着 2019年7月26日 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料代表之一，是C元素和Si元素形成的化合物。跟传统半导体材料硅相比，它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料 什么是碳化硅（SiC）？相较于Si性能优势有哪些？ 百家号2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿 2022年10月9日 由于碳化硅材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、高热导 率等特点，碳化硅是功率器件理想的制造材料。当前碳化硅材料功率器件主要分为 二极管和晶体管，其中，二极管主要包括肖特基二极管（SBD）、结势垒肖特基二 极管（JBS）、PiN 功率二极管（PiN）；晶体管主要包括金属 碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革
国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
2022年4月24日 摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。然而，由于碳化硅为强共价键化合物，且具有低的扩散系数，导致其在制备过程中的主要问题之一是烧结致密化困难。2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨 碳化硅 百度百科2023年12月5日 一、碳化硅的前世今生 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高 半导体碳化硅（SIC）凭什么被称为第三代半导体最重要材料？
碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎
2019年9月2日 碳化硅材料具有很高的临界位移能约为45~90eV。这使得碳化硅材料具有很高的抗辐射能力和抗电磁波冲击(EMP：ElectroMagnetic Pluse) 能力。表1 室温下几种半导体材料特性的比较 表1列出了碳化硅与主要半导体材料在室温下的材料参数。从表中可以看出 2023年12月20日 目前碳化硅二极管(SBD)、MOSFET已经开始商业化应用。1碳化硅晶圆（裸芯片）： 指碳化硅功率器件集成电路制作所用的晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定 半导体SIC器件的特性优势和八大应用领域； 知乎专栏2020年2月22日 LED是显示设备的核心，射频是5G通讯的核心，这三者的基础都是碳化硅，所以我认为碳化硅 是半导体材料的王者，而氮化镓温文尔雅，在碳化硅的肩膀上极致发挥，应该被誉为半导体材料的王后。三、相关公司 GaN 产业 第三代半导体材料的王者，氮化镓or碳化硅？ 知乎2019年6月13日 碳化硅功率器件具有开关频率快、短路时间短等特点，目前器件保护技术尚不能满足需求。（3）碳化硅器件的电路应用开关模型尚不能全面反映碳化硅功率器件的开关特性，尚不能对碳化硅器件的电路拓扑仿真设计提供准 系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇材料
多个维度来分析碳化硅SIC跟IGBT应用上的区别！ 知乎
2022年4月28日 碳化硅mosfet的应用与分类 （一）应用 碳化硅mosfet模块在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大的优势。 碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这是目前国内外电动汽车电机领域 2019年9月5日 以下为国内碳化硅产业主要公司： 山东天岳：单晶衬底，量产四英寸单晶衬底，独立自主开发6英寸衬底技术。 天科合达：单晶衬底，国内首家建立完成碳化硅生产线、实现碳化硅晶体产业化的公司，量产24英寸晶片。第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎2024年9月3日 碳化硅在高压与高温条件下的优势 碳化硅材料的高击穿电压和高热导率使其成为高压、高温条件下理想的功率电子材料。碳化硅器件可以在超过600°C的环境下工作，而不影响其电性能，这使得其在电力电子系统中逐渐取代传统的硅器件，特别是在电动汽车和航空电子系统中。碳化硅的性能及用途全景图：材料科学与高科技应用的融合2020年5月27日 第三阶段是以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化锌（ZnSe ）等宽带半导体原料为主。 半导体材料与器件发展史 在材料领域的第一代，第二代， 第三代 并不具有“后一代优于前一代”的说法。国外一般会把氮化镓、碳化硅等材料叫做宽禁带 科普丨第一、二、三代半导体的区别在哪里？材料
碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术的详解； 知乎
2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 SiC 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳2024年1月22日 碳化硅MOSFET具有高频高效，高耐压，高可靠性。可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度等特性，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。一 碳化硅MOSFET常见封装TO247 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料一文了解SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势 知乎黑色和绿色这2种碳化硅的机械性能略有不同,绿色碳化硅较脆,制成的磨具富于自锐性;黑碳化硅较韧。 碳化硅结晶结构是一种典型的共价键结合的化合物，自然界几乎不存在。碳化硅晶格的基本结构单元是相互穿插的SiC4和CSi4四面体。碳化硅特性 百度文库2023年7月7日 由于碳化硅的结合力很强，掺杂起来比较困难，需要采用离子注入或者外延生长等方法。碳化硅的氧化层质量也不如硅的好，需要采用特殊的氧化工艺或者替代材料。碳化硅与金属之间的接触电阻也比较大，需要采用特殊的金属或者合金来降低接触电阻。第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 百家号
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的区别在哪里？这篇指南
2022年3月30日 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面是相似 2023年12月4日 碳化硅MOS的优势 硅IGBT在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。由于受到材料的限制，高压高频的硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围，同时具备单极型器件的卓越开关性能。碳化硅是第三代半导体重要的材料科学指南针 知乎2023年3月22日 它们的禁带宽度在 23eV 以上，其中又以 SiC 碳化硅和 GaN 氮化镓为代表。 与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质，翻译下来就是：高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射 宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC） 知乎2023年12月31日 SiC产业概述 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表。 什么是半导体？ 官话来说，半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 但导电性能的强弱，并非是体现半导体材料价值的最直观属性，半导体材料的导电和绝缘属性之间的切换，才是构成半导体产业 第三代半导体材料碳化硅（SiC）详述碳化硅半导体CSDN博客
四个问题带你对半导体碳化硅(SIC)有基本了解; 知乎
2023年12月3日 问：碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN ）相比如何？答：这是大家都非常关注的问题，先说结论：各有千秋，相辅相成。与禁带为112eV（电子伏特）的硅相比，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）作为化合物半导体，他们的禁带是硅禁带的3倍，分别为339eV和3 2022年5月20日 碳化硅 具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate2019年7月19日 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）——并称为第三代半导体材料的双雄。 碳化硅（SiC） 身世 碳化硅（SiC）俗称金刚砂，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。一文读懂第三代半导体材料的特性、应用2022年5月13日 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。一张图了解第三代半导体材料——碳化硅 百家号
碳化硅化工百科 ChemBK
2024年1月2日 碳化硅在常温下对人体无毒，但在高温下可能产生刺激性气体。 2 在操作过程中应避免接触皮肤和眼睛，必要时应佩戴个人防护设备。 3 避免与酸、碱等化学物质接触，以免引起危险反应。 最后更新： 22:29:年10月15日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社碳化硅是人类已知的最坚固的材料之一，由硅（Si）和碳（C）元素组成。这种砂粒又称 "碳化硅"，具有高硬度、优异的导热性和耐磨性等优异特性。碳化硅的非凡特性使其在许多行业，如电子、磨料磨具、电力设备和其他新兴行业中发挥着 碳化硅与硅：两种材料的详细比较 亚菲特2019年7月26日 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料代表之一，是C元素和Si元素形成的化合物。跟传统半导体材料硅相比，它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料 什么是碳化硅（SiC）？相较于Si性能优势有哪些？ 百家号
揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新2022年10月9日 由于碳化硅材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、高热导 率等特点，碳化硅是功率器件理想的制造材料。当前碳化硅材料功率器件主要分为 二极管和晶体管，其中，二极管主要包括肖特基二极管（SBD）、结势垒肖特基二 极管（JBS）、PiN 功率二极管（PiN）；晶体管主要包括金属 碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革 2022年4月24日 摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。然而，由于碳化硅为强共价键化合物，且具有低的扩散系数，导致其在制备过程中的主要问题之一是烧结致密化困难。国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
碳化硅 百度百科
2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨 2023年12月5日 一、碳化硅的前世今生 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高 半导体碳化硅（SIC）凭什么被称为第三代半导体最重要材料？2019年9月2日 碳化硅材料具有很高的临界位移能约为45~90eV。这使得碳化硅材料具有很高的抗辐射能力和抗电磁波冲击(EMP：ElectroMagnetic Pluse) 能力。表1 室温下几种半导体材料特性的比较 表1列出了碳化硅与主要半导体材料在室温下的材料参数。从表中可以看出 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎